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Università degli Studi di Parma, il mondo che ti aspetta

SOZZI Prof.ssa Giovanna

Mail di Ateneo: 
giovanna.sozzi@unipr.it
Telefono: 
+39 0521 906044
Fax: 
+39 0521 905822

Afferenza organizzativa

Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione
Parco Area delle Scienze, 181/a


Altre informazioni

Orario di ricevimento

Ricevimento su rischiesta dello studente: inviare e-mail per fissare appuntamento.

Curriculum Vitae

Giovanna Sozzi consegue la laurea in ingegneria elettronica (con lode) nel 1997 presso l'Università degli Studi di Parma.
Durante il 1998 lavora presso FIAT spa, Torino, dove è assunta a tempo indeterminato.
Dal 1998 al 2001 frequenta il Dottorato di Ricerca in Tecnologie dell'Informazione (XIV ciclo) presso il Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione del'Università di Parma. L'attività del dottorato di ricerca ha riguardato principalmente lo studio di transistori ad effetto di campo (FET) per microonde ed onde millimetriche e di celle solari multigiunzione, e si è concentrata sul lavoro di simulazione numerica di tali dispositivi. Contemporaneamente ha anche seguito le procedure essenziali per lo start-up della camera bianca del dipartimento, fino all'avvio dell'attività tecnologica per la realizzazione di contatti ohmici in Au su GaAs.
Tra il 1999 e il 2000 collabora con Procter & Gamble Italia spa, presso lo stabilimento Nelsen di Gattatico (RE), per correggere i software utilizzati ed adeguarli alla transizione all’anno 2000.
Nel novembre 2001 le viene conferito un incarico di collaborazione con l’INFM UdR di Parma (Istituto Nazionale per la Fisica della Materia - Unità di Ricerca di Parma) dal titolo: “Sviluppo di tecniche di processo per strutture di test su semiconduttori del gruppo III/V”.
Sempre nel novembre 2001 vince una borsa di studio CNR nell'ambito della tematica “Affidabilità e fisica dei meccanismi di guasto dei dispositivi elettronici a semiconduttori composti”, presso il dipartimento di Scienze dell'Ingegneria - Università di Modena e Reggio Emilia.
Nel gennaio 2002 Giovanna Sozzi riceve il titolo di Dottore di Ricerca in “Tecnologie dell'Informazione” discutendo una tesi dal titolo “Simulazione, caratterizzazione e tecnologia di dispositivi ad eterogiunzione di semiconduttori composti”. Nel settembre 2002 prende servizio come Ricercatrice Universitaria presso la Facoltà di Ingegneria dell'Università degli Studi di Parma avendo vinto il concorso indetto dalla suddetta Università per il settore Scientifico-Disciplinare ING/INF-01 “Elettronica”.
Giovanna Sozzi ha partecipato a diversi progetti di ricerca di valenza nazionale.
In particolare nel 2010 le viene finanziato dalla Fondazione Cariparma il progetto dal titolo: “Studio ed ottimizzazione di celle solari innovative a basso costo per il mercato di massa”, del quale è responsabile scientifico.
E' coautrice di varie pubblicazioni scientifiche pubblicate su riviste internazionali e presentate a conferenze nazionali ed internazionali.
Dall'aa. 2002/2003 svolge attività didattica presso la Facoltà di Ingegneria dell'Università degli Studi di Parma, dapprima nell'ambito dell'insegnamento di Elettronica Industriale per il Corso di Master Universitario in “Tecnologie Elettroniche per l'Innovazione Industriale”.
Successivamente, nell'aa.2003/2004, è titolare del corso di Elettronica AB (modulo B – 5CFU) per il Corso di Laurea in Ingegneria Informatica. Dall'aa. 2005/2006 all'a.a.2009-2010 è titolare degli insegnamenti di Tecnologie Microelettroniche (5CFU) per il Corso di Laurea Specialistica in Ingegneria Elettronica, e dall'aa. 2005/2006 all'a.a.2008-2009 di Fondamenti di Elettronica A (I modulo – 5 CFU), per il Corso di Laurea in Ingegneria Informatica.
Nell'a.a.2011-2012 è titolare dell'insegnamento di Tecnologie Elettroniche (9CFU) per il Corso di Laurea Magistrale in

Temi di ricerca

Le principali attività di ricerca di Giovanna Sozzi riguardano:
la modellazione elettrica, termica ed elettro- termica (mediante simulazioni numeriche sia bidimensionali (2D) che tridimensionali (3D)), con particolare attenzione agli aspetti di affidabilità di:
i.diodi e resistori in silicio per elevate potenze;
ii.dispositivi a semiconduttori composti III-V (HBT e FET);
iii.HEMT su GaN;
iv.celle solari in tecnologia CIGS.
v.lo studio e sviluppo di modelli compatti di meccanismi di degrado dei dispositivi elettronici per la progettazione circuitale.

Servizio di inserimento e modifica dei dati relativi al curriculum vitae (Max 3000 caratteri) e ai temi di ricerca (Max 1000 caratteri) (limitato al personale docente e ricercatore e al personale tecnico-amministrativo titolare di posizioni organizzative).

elenco alfabetico

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