TECNOLOGIE MICROELETTRONICHE
cod. 14713

Anno accademico 2007/08
3° anno di corso - Secondo semestre
Docente
Settore scientifico disciplinare
Fisica della materia (FIS/03)
Field
Microfisico e della struttura della materia
Tipologia attività formativa
Caratterizzante
24 ore
di attività frontali
3 crediti
sede:
insegnamento
in - - -

Obiettivi formativi

<br />Acquisizione delle conoscenze di base delle principali tecnicheutilizzate nella preparazione di dispositivi microelettronici

Prerequisiti

<br />Conoscenza delleproprietà fondamentali dei materiali semiconduttori

Contenuti dell'insegnamento

<br />  Introduzione sulleproprietà dei materiali semiconduttori. Drogaggio di materiali semiconduttori.Meccanismi di diffusione di impurezze droganti e tecnica di impiantazione.Trattamenti termici rapidi.<br />Cenni sulle proprietà della giunzione p/n e sulle proprietà disuperficie dei semiconduttori. Contatti metallo/semiconduttore. Contatti ohmicie contatti rettificanti. Tecniche di misura di resistività e mobilità.<br />    Tecnicadi crescita di monocristalli bulk con il metodo Czochralski. Visita laboratoridi crescita bulk (Istituto IMEM).<br />Tecncniche di crescita epitassiali. Epitassia da fase vapore (VPE,MOVPE). Epitassia da fasci molecolari (MBE). Visita laboratori MBE ed MOVPE(Istituto IMEM).<br />   Litografiaottica e costruzione delle maschere. Processi fotolitografici (stesura delresist, esposizione e sviluppo). Litografia a raggi X ed a fascio elettronico.Steps di processo per la realizzazione di diodi metallo/semiconduttore e digiunzioni p/n con struttura “mesa”. Processi di ossidazione e nitrurazione.<br />Realizzazione,mediante fotolitografia, di barriere Schottky su GaAs e Si, controllo dellaqualità dei contatti ohmici e misura delle caratteristiche corrente-tensionedei diodi (laboratorio misure elettriche- Istituto IMEM).<br />   Attacchi umidi(wet etching) e secchi (dry etching). Anisotropia e selettività dell’attacco.Plasma etching,, sputter etching e reactive ion etching. Prove di attacco sumateriali semiconduttori (Laboratorio di fotolitografia-Istituto IMEM).<br /> Realizzazionemediante fotolitografia ed evaporazioni di una giunzione p/n con struttura“mesa” (Laboratorio di fotolitografia-Istituto IMEM).<br />   Deposizione di film metallici mediante evaporazione termica e a fasciodi elettroni (Laboratorio di fotolitografia-Istituto IMEM).<br />   Determinazionedel profilo di concentrazione di portatori mediante misure capacità-tensionecondotte su barriere Schottky e giunzioni p/n (laboratorio misureelettriche-Istituto IMEM).

Programma esteso

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Bibliografia

<br />Appunti dellelezioni del corso<br />G. Soncini,“Tecnologie microelettroniche”, Boringhieri<br />CRM Grovenor,“Microelectronic materials”, Adam Hiler<br />P. Blood and WOrton, “The electrical characterization of semiconductor: majority vcarriersand electron states, Academic Press 1992

Metodi didattici

<br />Lezione orale e laboratorio<br />Esame orale

Modalità verifica apprendimento

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Altre informazioni

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